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NTMD6N03R2原装ON Semiconductor分离式半导体产品现货供应,环保现货NTMD6N03R2价格优惠

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  • 厂家:ON Semiconductor
  • 批号:07+
  • 数量:1795
产品属性
描述MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
RoHS含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
标准包装2,500
类别分离式半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
FET 型2 个 N 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C32 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds950pF @ 24V
功率 - 最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOICN
包装带卷 (TR)
其它名称NTMD6N03R2OS

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