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- 产品价格:电话咨询
- 交易说明:原装正品 联系方式:0755-0755-83228232 / 0755-0755-83229055
- 厂家:ON Semiconductor
- 批号:07+
- 数量:1795
描述 | MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC |
RoHS | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
FET 型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 32 毫欧 @ 6A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 950pF @ 24V |
功率 - 最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | NTMD6N03R2OS |


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