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NTJD4152PT1G分离式半导体产品原装热卖,专销ON Semiconductor NTJD4152PT1G分离式半导体产品

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  • 厂家:ON Semiconductor
  • 批号:1149+
  • 数量:22192
产品属性
描述MOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
标准包装3,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
FET 型2 个 P 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C880mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C260 毫欧 @ 880mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs2.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds155pF @ 20V
功率 - 最大272mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)
其它名称NTJD4152PT1GOSTR

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