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ZXMC3A17DN8TA原装Diodes Inc分离式半导体产品现货供应,环保现货ZXMC3A17DN8TA价格优惠

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  • 厂家:Diodes Inc
  • 批号:11+
  • 数量:2000
产品属性
描述MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
标准包装500
类别分离式半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
FET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.1A,3.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 7.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs12.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds600pF @ 25V
功率 - 最大1.25W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOP
包装带卷 (TR)
其它名称ZXMC3A17DN8TR

 

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