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Diodes Inc ZXMN10A11GTA分离式半导体产品,现货供应ZXMN10A11GTA接受批量订货

  • Diodes Inc ZXMN10A11GTA分离式半导体产品,现货供应ZXMN10A11GTA接受批量订货
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  • 厂家:Diodes Inc
  • 批号:06+
  • 数量:7000
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
标准包装1,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列-
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C350 毫欧 @ 2.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs5.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds274pF @ 50V
功率 - 最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装SOT-223
包装带卷 (TR)
其它名称ZXMN10A11GTR

 

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