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【ON Semiconductor】分离式半导体产品NTJD1155LT1G全系列进口国产优势供应 销量第一
- 产品价格：电话咨询
- 交易说明：全新原装，价优，欢迎订购！！！
- 厂家：ON Semiconductor
- 批号：1120+
- 数量：93600
产品属性
| 描述 | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 175 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 400mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NTJD1155LT1GOSTR |
NTJD1155LT1G的相关型号
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