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  • 厂家:International Rectifier
  • 批号:10000
  • 数量:0
产品属性
描述MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
标准包装4,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 阵列
系列HEXFET®
FET 型2 个 N 沟道(双)
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds290pF @ 25V
功率 - 最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SO
包装带卷 (TR)
其它名称IRF7103PBFTR

 

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