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Vishay Siliconix SI7900AEDN-T1-E3分离式半导体产品,现货供应SI7900AEDN-T1-E3接受批量订货

  • Vishay Siliconix SI7900AEDN-T1-E3分离式半导体产品,现货供应SI7900AEDN-T1-E3接受批量订货
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  • 厂家:Vishay Siliconix
  • 批号:07+
  • 数量:9000
产品属性
描述MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
数据列表SI7900AEDN
标准包装3,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 阵列
系列TrenchFET®
FET 型2 个 N 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 8.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)900mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大1.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装PowerPAK? 1212-8
包装带卷 (TR)
其它名称SI7900AEDN-T1-E3TR

 

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