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描述 | MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PN |
RoHS | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 50 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) | 900V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.4 欧姆 @ 4A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 58nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 2040pF @ 25V |
功率 - 最大 | 85W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
供应商设备封装 | TO-3P(N)IS |
包装 | 管件 |
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