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长期供应 大量现货Infineon Technologies BSC196N10NS G主营:Infineon Technologies分离式半导体产品

  • 长期供应 大量现货Infineon Technologies BSC196N10NS G主营:Infineon Technologies分离式半导体产品
  • 产品价格:电话咨询
  • 交易说明:原装进口现货库存
  • 厂家:Infineon Technologies
  • 批号:TDS0N-8
  • 数量:401
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
数据列表BSC196N10NS G
标准包装5,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C45A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19.6 毫欧 @ 45A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 42µA
闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds2300pF @ 50V
功率 - 最大78W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerTDFN
供应商设备封装PG-TDSON-8
包装带卷 (TR)
其它名称BSC196N10NS G-NDSP000379604

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