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供应Infineon Technologies分离式半导体产品BSZ110N06NS3 G，BSZ110N06NS3 G原装正品，BSZ110N06NS3 G现货热卖
- 产品价格：电话咨询
- 交易说明：原装进口现货库存
- 厂家：Infineon Technologies
- 批号：TDS0N-8
- 数量：50
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 数据列表 | BSZ110N06NS3GBSZ110N06NS3 G |
| 标准包装 | 5,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 23µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2700pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TSDSON-8（3.3x3.3） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSZ110N06NS3GBSZ110N06NS3GINTRSP000453676 |
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