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STMicroelectronics IRF630分离式半导体产品,现货供应IRF630接受批量订货
- 产品价格:电话咨询
- 交易说明:现货库存热卖
- 厂家:STMicroelectronics
- 批号:TO-220
- 数量:38000
描述 | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
其它有关文件 | IRF630 View All Specifications |
标准包装 | 50 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | MESH OVERLAY™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 400 毫欧 @ 4.5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 45nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V |
功率 - 最大 | 75W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 |
工具箱 | 497-8004-KIT-ND - KIT MOSFET THRU HOLE 9VAL 5EA |
其它名称 | 497-2757-5 |


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