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STMicroelectronics IRF630分离式半导体产品,现货供应IRF630接受批量订货

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  • 交易说明:现货库存热卖
  • 厂家:STMicroelectronics
  • 批号:TO-220
  • 数量:38000
产品属性
描述MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
其它有关文件IRF630 View All Specifications
标准包装50
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列MESH OVERLAY™
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 4.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds700pF @ 25V
功率 - 最大75W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220AB
包装管件
工具箱497-8004-KIT-ND - KIT MOSFET THRU HOLE 9VAL 5EA
其它名称497-2757-5

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