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- 产品价格：电话咨询
- 交易说明：原装进口现货库存
- 厂家：Infineon Technologies
- 批号：TDS0N-8
- 数量：14
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 数据列表 | BSC067N06LS3 G |
| 标准包装 | 5,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6.7 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.2V @ 35µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 67nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5100pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 69W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TDSON-8（5.15x6.15） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSC067N06LS3 G-NDBSC067N06LS3 GINTRSP000451084 |
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