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- 产品价格：电话咨询
- 交易说明：原装
- 厂家：International Rectifier
- 数量：0
| 描述 | MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC |
| RoHS | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.5A，2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 190pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 带卷 (TR) |
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