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MW6S004NT1 产品信息:
产品种类: 射频MOSFET电源晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
频率: 2 GHz
增益: 18 dB at 1.96 GHz
输出功率: 4 W
汲极/源极击穿电压: 68 V
闸/源击穿电压: 12 V
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: PLD-1.5-3
封装: Reel
最小工作温度: - 65 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 1000
严格意义上讲,晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。
晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。 晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极 (Base) 和集电极(Collector); 场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。 晶体管因为有三种极性,所以也有三种的使用方式,分别是发射极接地(又称共射放大、CE组态)、基极接地(又称共基放大、CB组态)和集电极接地(又称共集放大、CC组态、发射极随隅器)。
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