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描述 | MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK |
RoHS | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
数据列表 | IRF830S |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.5 欧姆 @ 2.7A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 610pF @ 25V |
功率 - 最大 | 74W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 管件 |
其它名称 | *IRF830S |


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