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网址:http://www.dzsc.com/company/59070/index.html
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描述 | MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 50 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 耗尽模式 |
漏极至源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 110 欧姆 @ 50mA,0V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | - |
闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 120pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.1W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220 |
包装 | 管件 |
其它名称 | Q1614635 |


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