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- 产品价格：电话咨询
- 交易说明：原装
- 厂家：Vishay Siliconix
- 数量：0
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP |
| RoHS | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 数据列表 | IRFD210 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.5 欧姆 @ 360mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRFD210 |
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