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描述 | MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP |
RoHS | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
数据列表 | IRFIBE20G |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 6.5 欧姆 @ 840mA,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 530pF @ 25V |
功率 - 最大 | 30W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
供应商设备封装 | TO-220-3 |
包装 | 管件 |
其它名称 | *IRFIBE20G |


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