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产品属性
			| 描述 | MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247 | 
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | 
| 标准包装 | 30 | 
| 类别 | 分离式半导体产品 | 
| 家庭 | FET - 单 | 
| 系列 | HiPerFET™ | 
| FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 | 
| FET 特点 | 标准型 | 
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 120A | 
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 17 毫欧 @ 60A,10V | 
| Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 8mA | 
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 300nC @ 10V | 
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 9100pF @ 25V | 
| 功率 - 最大 | 560W | 
| 安装类型 | 通孔 | 
| 封装/外壳 | TO-247-3 | 
| 供应商设备封装 | PLUS247?-3 | 
| 包装 | 管件 | 
| 其它名称 | IFX120N20 | 

 
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