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- 产品价格：电话咨询
- 交易说明：原装,现货!"
- 厂家：Fairchild Semiconductor
- 批号：2010+
- 数量：15000
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PowerTrench® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 61A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 16 毫欧 @ 61A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2880pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | TO-263AB |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDB3652-NDFDB3652TR |
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