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Vishay Siliconix IRFD110分离式半导体产品，现货供应IRFD110接受批量订货
- 产品价格：电话咨询
- 交易说明：原装
- 厂家：Vishay Siliconix
- 批号：05+
- 数量：15000
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP |
| RoHS | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 数据列表 | IRFD110 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 540 毫欧 @ 600mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRFD110IRFD111IRFD112 |
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