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网址:http://www.dzsc.com/company/59070/index.html
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描述 | MOSFET N-CH 800V 2A TO-263 |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 1 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 6.2 欧姆 @ 500mA,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 440pF @ 25V |
功率 - 最大 | 54W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | TO-263AA |
包装 | 散装 |


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