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描述 | MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
数据列表 | SI4559ADY |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | N 和 P 沟道 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.3A,3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 58 毫欧 @ 4.3A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 665pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SI4559ADY-T1-E3TR |


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