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| 描述 | MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 数据列表 | IRFD9120 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 600 毫欧 @ 600mA,10V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 390pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
| 供应商设备封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRFD9120PBF |

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