供应AOSICAO3403 MOSFET P ，AO3403 MOSFET P 原装正品，AO3403 MOSFET P 现货热卖

AO3403产品规格：

标准包装	3,000
类别	分离式半导体产品
家庭	FET - 单
系列	-
FET 型	MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)	30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C	2.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C	130 毫欧 @ 2.6A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）	1.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs	5.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds	500pF @ 15V
功率 - 最大	1.4W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装	SOT-23-3
包装	带卷 (TR)
产品目录页面	1668 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	785-1003-2

场效应管 - 主要参数
　　F9z24n场效应管直流参数
　　饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
　　夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
　　开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。
　　交流参数
　　低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
　　极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
　　极限参数
　　漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。
　　栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。