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- 厂家：ON Semiconductor
- 批号：1140+
- 数量：25217
| 描述 | TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363 |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 22k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 22k |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 60 @ 5mA，10V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 300µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率 - 转换 | - |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | MUN5212DW1T1G-NDMUN5212DW1T1GOSTR |
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