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Infineon Technologies BSO615CT分离式半导体产品，现货供应BSO615CT接受批量订货
- 产品价格：电话咨询
- 交易说明：原装现货83229055/83228232
- 厂家：Infineon Technologies
- 批号：0732+
- 数量：5000
| 描述 | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | SIPMOS® |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.1A，2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 110 毫欧 @ 3.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 20µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 22.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 380pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | PG-DSO-8 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSO615CXTINTR |
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