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供应FDC6561AN分离式半导体产品,Fairchild Semiconductor品牌分离式半导体产品FDC6561AN 原装现货

  • 供应FDC6561AN分离式半导体产品,Fairchild Semiconductor品牌分离式半导体产品FDC6561AN 原装现货
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  • 交易说明:百分百原装正品现货,价格优势,提供技术支持
  • 厂家:Fairchild Semiconductor
  • 批号:1200+
  • 数量:19055
产品属性
描述MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
标准包装3,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 阵列
系列PowerTrench®
FET 型2 个 N 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C95 毫欧 @ 2.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs3.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds220pF @ 15V
功率 - 最大700mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装6-SSOT
包装带卷 (TR)
其它名称FDC6561ANTR

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