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一、 产品描述
类别:NPN-硅通用晶体管
集电极-发射极电压VCEO:12V
集电极-基极电压VCBO:20V
发射极-基极电压VEBO:3.0V
集电极直流电流IC:100mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
电性能参数(TA=25℃):
击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0
直流放大系数hFE:50~300
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)
特征频率fT:7.0GHz
封装:SOT-23
功率特性:中功率
极性:NPN型
结构:扩散型
材料:硅(Si)
封装材料:塑料封装
集电极允许电流:0.1(A)
集电极最大允许耗散功率:0.2(W)
2SC3356硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHJF,UHF,CATV高频宽带低噪声放大器。
二、公司简介
深圳市誉德瑞电子有限公司是一家专业从事单片机与嵌入式系统的推广应用、技术服务和营销,专业从事电子产品的开发生产及应用的技术导向型公司,为国内外厂商提供优质服务,乃国内几大著名电子元器件供应商之一。
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