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深圳市誉德瑞电子有限公司
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Infineon BSO200P03IC，现货供应BSO200P03接受批量订货

产品价格：电话联系
厂家：Infineon
批号：1213+
数量：12000

产品属性

BSO200P03参数：

类别	分离式半导体产品
家庭	FET - 单
系列	OptiMOS™
FET 型	MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)	30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C	7.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C	20 毫欧 @ 9.1A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）	1.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs	54nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds	2330pF @ 25V
功率 - 最大	1.56W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
供应商设备封装	PG-DSO-8
包装	带卷 (TR)

　　MOSFET与IGBT的对比

　　MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。特点：击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A.由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz.

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