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MUN5233DW1T1G分离式半导体产品原装热卖,专销ON Semiconductor MUN5233DW1T1G分离式半导体产品

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  • 厂家:ON Semiconductor
  • 批号:1149+
  • 数量:21956
产品属性
描述TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
标准包装3,000
类别分离式半导体产品
家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列-
晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA
频率 - 转换-
功率 - 最大250mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)
其它名称MUN5233DW1T1G-NDMUN5233DW1T1GOSTR

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