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- 产品价格：电话咨询
- 交易说明：原装现货83229055/83228232
- 厂家：Vishay Siliconix
- 批号：0732+
- 数量：5000
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 数据列表 | SI3900DV |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 125 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 830mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 6-TSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI3900DV-T1-E3TR |
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