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- 厂家：ON Semiconductor
- 批号：1136+
- 数量：23961
| 描述 | TRANSISTOR PNP 2A 35V TSOP-6 |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品培训模块 | Low Vce(sat) BJT Power Savings |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 35V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 310mV @ 20mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1.5A，1.5V |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装 | 6-TSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NSS35200MR6T1G-ND |
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