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  • 型号/规格:2SK3878
  • 品牌/商标:东芝
  • 产品咨询热线:0755-82535266/13088842066
产品属性

直销TOSHIBA MOS 2SK3878 K3878 900V N沟道


代理直销2SK3878 K3878 TOSHIBA MOS 900V N沟道 欢迎来电订购!

 

日本TOSHIBA MOS 2SK3878 K3878 900V N沟道,2SK3878 K3878功率MOSFET主要用于开关稳压器。

 

2SK3878 K3878 TOSHIBA MOS特点:

▲极性:N沟

▲漏源电压VDSS:900V

▲漏电流ID:9 A

▲功耗PD:150 W

▲门电荷总数Qg (nC) (标准) :60

▲低的漏源电阻:RDSON= 1.0Ω(typ.)

▲高正向传输导纳:| YFS|=7.0S(typ.)
▲低漏电流:IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V)
▲增强模式:Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

▲封装:TO-3P(N)

 

2SK3878 K3878 TOSHIBA MOS绝对最大额定值:(Ta= 25 ℃)

 

Characteristics

Symbol

2SK3878

Unit

Drain−source voltage

VDSS

900

V

Drain−gate voltage (RGS = 20 kΩ)

VDGR

900

Gate−source  voltage

VGSS

±30

Drain current

DC    (Note 1)

ID

9

A

Pulse  (Note 1)

IDP

27

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

PD

150

W

Single pulse avalanche energy (Note 2)

EAS

778

mJ

Avalanche current

IAR

9

A

Repetitive avalanche energy (Note 3)

EAR

15

mJ

Channel temperature

Tch

150

°C

Storage temperature range

Tstg

−55 to 150

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