2011年5月25号双N沟道增强型功率场效应管最新报价
QooIC.com 新闻出处：电子市场 | 发布时间：2011/5/25 9:27:33
MEM2306双N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2306适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。具有： 20V/5A、RDS（ON） =23.8mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A、超大密度单元、极小的RDS（ON））等特点。 主要应用于：笔记本电池管理、便携式设备、电池电源系统、DC/DC转换、负载开关、LCD显示适配器等，其最新报价为：1.10元/PCS
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