英飞凌推出单片集成逆导二极管的RC-H5
QooIC.com 新闻出处:电子市场网 | 发布时间:2014/2/26 14:49:54
导读:英飞凌科技股份公司日前宣布推出单片集成逆导二极管的RC-H5,此款器件的推出不仅是对英飞凌性能领先的RC-H系列产品的扩展,而且也是现有广泛使用RC-H3的重大技术突破。
RC-H5是英飞凌针对感应加热应用新推逆导IGBT,其具备的优势特性主要体现在:
(1)开关损耗降低高达30%,使设计人员能够使用IGBT的工作频率高达30KHz;
(2)配备的系统效率提高0.5%,使系统整体效率超过92%;
(3)最高结温达175℃,具备了更加出色的热性能;
(4)导通尖峰电流降低10%,从而减少系统中无源元件的压力,进一步提高了可靠性;
(5)可供选择的电流级别20A关断电压,是RC-H3的重大技术突破;
(6)改善EMI,采用更小的电感元件来降低整体系统成本。
RC-H5所具备的以上优势性能也展示出了英飞凌开发此产品重点关注感应加热应用的系统效率和高可靠性要求。新一代RC-H5的推出在巩固英飞凌IGBT技术领导地位上,也满足了感应加热应用的严格要求。